SJT 11225-2000 电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体
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ID： |
B1CAD426720D4B06930B13CD38CB0048 |
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文件大小(MB)： |
0.13 |
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页数： |
10 |
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文件格式： |
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日期： |
2013-7-16 |
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购买： |
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ICS 31.080.30,L42,备案号:7558一2000,中华人民共和国电子行业标准,SJ / T 1 12 2 5 一 2 0 00,电子元器件详细规范,3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管,De tails pecificationf ore lectronicc omponents,Type 3DA504 S band silicon pulse power transistor,2000-08-16发布2000-10-01实施,中华人民共和国信息产业部发布,A订台,本 规 范 是按照GB/'r7 576-1998《半导体器件分立器件第7部分双极型品体管,第四篇高频放大管壳额定双极型品体管空白详细规范》(idt IEC 747-7-4: 1991)标准制,订的，符合GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》(idt IEC,747-10: 1984)和GB/T 12560-1999 (半导体器件分立器件分规范》(idt IEC 747-11:,1996)的II类要求,本 规 范 由信息产业部电子工业标准化研究所归口,本 规 范 起草单位:信息产业部电子工业标准化研究所,本 规 范 主要起草人:赵英、黄玉英,中华人民共和国电子行业标准,电子 元器 件 详细规范,3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管SJ/T 11225一:,De tails pecificationf ore lectronicc omponents,巧pe 3DA504 S band silicon pulse power transistor,本规 范 适 用于3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GB/T 7576-1998《半,导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶,体管空白详细规范》标准制订的，符合GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集,成电路总规范》和GB/T 12560-1999《半导体器件分立器件分规范》的11类要求,本 规 范 引用的标准有GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路第7部分双,极型晶体管》. GB/T 4589.1- 1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》. GB/T 4937,-1995《半导体器件机械和气候试验方法》和GJB 128A-97《半导体分立器件试验方法》,中华人民共和国信息产业部2000-08-16发布2000-10-01实施,一 1 一,SJ/T 11225- 2000,中华人民共和国信息产业部,评定电子元器件质it的依据:,GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总,规范》,GB/T 12560-1999《半导体器件分立器件分规范》,SJ/T 11225 一2000,3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管详细规范,订货资料:见本规范第7章.,1. 机械说明2. 简要说明,外形图:,见 本 规 范10.2.,引出端识别:,见 本 规 范10.2.,标志:,见 本 规 范第6章.,S波段脉冲功率晶体管,晶体管:NPN,半导体材料:Si,封装:空腔,用途:雷达、航空管制,3. 质且评定类别,11类,参考数据,厂 (3 .1- 3.4)G Hz:,彻 脉冲输出功率):50w ;,h.. E : 8 -100:,Gp: 7 d B .,按详细规范鉴定合格的器件其有关制造}的资料， 见合格产品一览表,4 极限值(绝对最大额定值),除 非 另 有规定，这些极限值适用于整个_〔作温度范围,条号参数名称符号,数值,单位,最小值最人值,4.1,4.2,43,4.5,4.6,4.9.1,4.9.2,管壳温度,贮存温度,最高集电极一基极电压,最高发射极一基级反向电}E,最大集电极电流,耗散功率”,最高有效结温,case,Tng,VCB0,VEBO,IC,尸to;,兀,-65 200,200,65,3,6.5,35,2o,0C,0C,V,V,A,W,0C,注:I) 降额曲线见10.1.,SJ/T 11225- 2000,5 电特性(检验要求见本规范第8章),数值,试验,分组,输一毗mA,条号符”{最、、值一最大值,h21E(l) } 8 A lb,SAA ICBof1) A lb,5.5.1 ICBO(2,冷Esat,50,7,35,A Zb,A Zb,作乓,特 性 和 条 件,除 非另 有 规定，几--2 5o C,(见 G B /T 4 5 89.1第】章),正向电流传输比,VCE=5 V, IC =1 A,集成极一基极截止电流,VCB=36 V, IE=0,高温下集电极一基极截止电流,几m6=150 0C,吮g =36 V,最高集电级一发射极饱合电压,IE=1 A,抢=0.2A,最低脉冲动输出功率,最低功率增益,VCC= 36V 户(3.1-3.4)G Hz.,t, 300 ps, D=10%, P;=10 W,最低总效率,VCC =36 V,户(3.1一3.4) GHz,tw 300 ps,小10%,汽=10 W,热阻,性E=15 V, IC =15.3 A, tw->1 ms,25 -C,< T_se,<70 -C,C 2b,W,dB,A26,R(th)l-c 5 } K /W I C 2d,6 标志,6. 1 器件上应有如下标志:,一 引 出 端识别标志(见10.2):,一 型 号 名称、质量评定类别:,一 生 产 厂所标志;,一 检 验 批识别代码,6-2 在初始包装上的标志,一 除 引 出端识别标志外的所有器件上的标志,7 订货资料,订……
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